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CSD18532KCS

更新时间:2025-05-22 16:09:07

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优势
43000
TI/德州仪器
/22+
主营TI，假一罚十

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52000
TI
N/A/23+
原装现货

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TDA7388 国
免费样品
300000
JSMSEMI/杰盛微
TO2203/23+
一级代理商可提供技术方案支持

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30000
TI/德州仪器
TO220/2022+
进口原装现货供应，原装假一罚十

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105000
VISHAY/威世
SOP8/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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12800
TI/德州仪器
N/A/25+23+
原装正规渠道优势商/全新进口深圳现货原盒原包

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8700
TI/德州仪器
-/2023+
原装现货

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16500
TI
Original/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

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22500
TI/德州仪器
TO220/22+
原装最低价，认准华盛锦

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10000
TI/德州仪器
TO2203/21+
原装进口现货/假一赔十/价格优势

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30000
TI/德州仪器
TO220/2022+
进口原装现货供应，原装假一罚十

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9400
TI
TI/23+
原装现货

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3000
TI
TI/N/A
原装正品热卖，价格优势

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6500
Texas
TO2203/23+
只做原装现货

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68900
TI
TO220/-
一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

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6000
TI
N/A/22+
原装现货，自家库存

CSD18532KCS
5027
TI/德州仪器
-/23+
只做原装,专注海外现货订购20年

展会宣传
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927427
TI/德州仪器
N/A/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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6500
Texas
TO2203/21+
原装正品

CSD18532KCS
67000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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16638
TI
TO220/23+
-

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35568
TI
TO220/1901+
原包装进口正品现货库存-正规渠道

CSD18532KCS
28800
TI/德州仪器
-/22+
原装现货，提供配单服务

CSD18532KCS
4000
Texas Instruments
16+/17+
代理直销，公司原装现货供应

CSD18532KCS
17500
TI
TO220/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

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4269
TI/德州仪器
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

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20000
TI 美国
TO220/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

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200000
TI
-/15
进口原装

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79500
TI
TI/2019+
原装欢迎询价

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15988
Texas Instruments(德州仪器)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

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14300
TI
N/A/22+
深圳现货只做原装

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5240
TI/德州仪器
-/21+
中研正芯，只做原装

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60000
Texas
TO2203/21+
十年配单，只做原装

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1000
TI
TO220/22+
-

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60701
TI
TO2203/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

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100000
TI
TSSOP/20+
回收此型号，工厂呆料处理

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78500
TI
N/A/23+
推荐型号保证有料，维库外单专营15年

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7800
TI
TO220/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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500
TI
-/21+
原装现货，欢迎咨询

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5000
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N/A/25+
有挂就是有货，假一赔万

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8661
TI/德州仪器
18+/TO220
原装/报价当天为准

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CSD18532KCS 概述

**芯片概述：** CSD18532KCS是由德州仪器（Texas Instruments）生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的硅技术，具有低导通电阻和高效率特性，适用于高效电源转换应用。其封装形式为SON 5mm×6mm，便于在紧凑空间内集成。 **应用场景：** 此款MOSFET广泛应用于同步降压转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路等需要高效率和高可靠性的场合。例如，在便携式设备如笔记本电脑和平板电脑中用于电源管理模块；在工业自动化系统中作为关键开关元件实现精确控制。此外，它还适合于电信基础设施中的功率分配网络以及汽车电子系统内的稳压器设计。 **使用建议：** - **电路设计时**，需注意栅极驱动电压的选择以确保最佳性能。 - 在布局PCB时应尽量减小源极与漏极之间的寄生电感，防止产生不必要的干扰。 - 考虑到散热需求，合理安排散热片或采用良好的热传导路径来保证稳定工作温度。

CSD18532KCS 规格参数

现有数量
2,399现货10,000Factory
系列
NexFET?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4680 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3

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