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CSD18542KTT

更新时间:2025-07-22 12:13:31

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优势
9000
TI(德州仪器)
TUBE/TI/22+
TI现货直销只做原装

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优势
2795
TI
TO2633/22+
原装现货

CSD18542KTT
优势
3574
TI
TO2633/22+
-

CSD18542KTT
23412
TI
TO263/23+
提供一站式配单服务

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52000
TI
N/A/23+
原装现货

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TDA7388 国
300000
TI(德州仪器)
TO2633/23+
一级代理商可提供技术方案支持

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105000
FAIRCHILD/仙童
DIP8/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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8700
TI
TO263/2023+
原装现货

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70000
TI
TO2633/23+
原装现货

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15500
TI
DDPAK/TO263 (KTT)/25+23+
原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

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62500
TI/德州仪器
N/A/-
原装最低价，认准华盛锦

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6000
TI
N/A/23+
原装现货

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12000
TI(德州仪器)
TO2633/2022+
原装可开发票

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6000
TI
N/A/22+
原装现货，自家库存

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70000
TI
TO2633/2023+
公司现货库存，假一赔十

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5027
TI
TO263/23+
只做原装,专注海外现货订购20年

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86222
TI/德州仪器
TO263/2024+
一站式BOM配单,原厂代理渠道现货商。

CSD18542KTT
70000
TI
TO2633/23+
原装现货

CSD18542KTT
64000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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19620
TI
DDPAK/TO263 (KTT)/24+
原厂原装价格实惠假一赔万挂了就有货的

CSD18542KTT
9000
TI
TO2634 D2Pak (3 Leads + Tab) TO263AA/2024+
TI原装代理专注渠道，价格优势支持检测

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28800
TI
TO263/22+
原装现货，提供配单服务

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4000
Texas Instruments
16+/17+
代理直销，公司原装现货供应

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70000
TI
TO2633/2024+
原装现货

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20000
TI 美国
DPAK/TO263/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

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50000
Texas Instruments
MOSFET NCH 60V 200A D2PAK/2020+
原装现货配单

CSD18542KTT
15988
Texas Instruments(德州仪器)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

CSD18542KTT
5240
TI
TO263/21+
中研正芯，只做原装

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2500
TI
SMD/20+
原装价钱优势联系电话13692265127 /17876146278

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60701
TI
-/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

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75860
TI
N/A/23+
推荐型号保证有料，维库外单专营15年

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7800
TI
TO263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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5000
-
N/A/25+
有挂就是有货，假一赔万

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12000
TI
TO2633/23+
全新原装，假一罚十

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6850
TI
TO2633/23+
只做原装

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500
TI(德州仪器)
TO2633/20+
20+

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14400
TI
-/21+
有挂就有，毋庸置疑，原装现货

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9208
TI
-/22+
特价支持，只做原装现货

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3574
TI
TO2633/23+
-

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98963
TI/德州仪器
SMD/20+
优势库存，特价出售一站式配单服务

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15000
TI
TO2634/1728+
TI现货商原装正品

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CSD18542KTT 概述

**CSD18542KTT概述** CSD18542KTT是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压VDS为60V，适用于需要高效能电源管理的应用场景。这款MOSFET在设计上特别注重降低栅极电荷与输入电容，有助于提高开关速度并减少驱动损耗。它广泛应用于电信设备、计算系统、消费电子产品以及工业自动化等领域。典型应用场景包括同步整流电路、DC-DC转换器、电机驱动器及负载切换等。 **应用指导：** 在使用CSD18542KTT时，需注意确保栅极驱动电压足够高以实现最低的RDS(on)，通常建议驱动电压至少为10V。此外，在PCB布局时应尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，减少寄生电感对开关性能的影响。对于高频率应用，推荐使用低电感封装如QFN，并优化散热设计以维持稳定工作温度。

CSD18542KTT 规格参数

现有数量
220现货10,000Factory
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5070 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

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