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CSD19535KTT

更新时间:2025-05-20 07:10:27

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优势
3366
TI(德州仪器)
TO2633/22+
TI现货直销含税出货

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优势
70000
TI
TO2633/-
原装免费送样一站式元器件采购商城

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12000
TI(德州仪器)
TO2633/2022+
原装可开发票

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TDA7388 国
300000
TI(德州仪器)
TO2633/23+
一级代理商可提供技术方案支持

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78500
TI
N/A/23+
推荐型号保证有料，维库外单专营15年

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12260
TI
TSSOP/23+
高品质优选好芯

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16084
TEXAS INSTRUMENTS
-/-
一手工厂库存，货稳/价低/快速

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5000
TI
TSSOP/25+
原装现货，价格优势，提供配单服务

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12500
TI
TSSOP/24+
16年老牌企业原装低价现货

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23412
TI/德州仪器
-/23+
提供一站式配单服务

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52000
TI
N/A/23+
原装现货

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25000
TI
TO263/22+
只有原装原装，支持BOM配单

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105000
TI/德州仪器
SOP8/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

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8700
TI/德州仪器
-/2023+
原装现货

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50000
TI
N/A/23+
原装现货

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15500
TI
DDPAK/TO263 (KTT)/25+23+
原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

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90000
TI
TO263/2024+
原厂渠道，现货配单

CSD19535KTT
3174
TI
TO2633/24+/25+
只做原装

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62500
TI/德州仪器
TO263/-
原装最低价，认准华盛锦

CSD19535KTT
25000
TI
TO263/22+
只有原装原装，支持BOM配单

CSD19535KTT
9400
TI
TSSOP/23+
原装现货

CSD19535KTT
6000
TI
N/A/23+
原装现货

CSD19535KTT
6000
TI
N/A/22+
原装现货，自家库存

CSD19535KTT
65428
TI
TO263/22+
只做现货，一站式配单

CSD19535KTT
85000
TI/德州仪器
TO263/2025+
一级代理品牌，价格优势，原厂原装，量大可以发货订

CSD19535KTT
5027
TI/德州仪器
-/23+
只做原装,专注海外现货订购20年

CSD19535KTT
86222
TI/德州仪器
TO263/2024+
一站式BOM配单,原厂代理渠道现货商。

CSD19535KTT
52000
TI
N/A/23+
原装现货

CSD19535KTT
75000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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19620
TI
DDPAK/TO263 (KTT)/24+
原厂原装价格实惠假一赔万挂了就有货的

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9000
TI
TO2634 D2Pak (3 Leads + Tab) TO263AA/2024+
TI原装代理专注渠道，价格优势支持检测

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3000
TI
18+/TO263
TI专营订货

CSD19535KTT
168000
TI/德州仪器
TO263/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

CSD19535KTT
28800
TI/德州仪器
-/22+
原装现货，提供配单服务

CSD19535KTT
4000
Texas Instruments
16+/17+
代理直销，公司原装现货供应

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90000
TI
TO263/2024+
原厂渠道，现货配单

CSD19535KTT
1009
TI/德州仪器
TO263/24+
原厂原装现货

CSD19535KTT
56850
TI/德州仪器
TO263/2025+
Texas原装可原厂订货，样品免费送

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20000
TI 美国
TO220/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

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50000
Texas Instruments
MOSFET NCH 100V 200A TO263/2020+
原装现货配单

CSD19535KTT
15988
Texas Instruments(德州仪器)
SMD/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

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CSD19535KTT 概述

**CSD19535KTT概述** CSD19535KTT是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench®工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为TO-220，便于散热设计与安装。此MOSFET主要用于电源管理应用，例如直流 - 直流转换器、电机驱动等需要高效电能转换的场合。在DC - DC转换器中，它能够实现高效率的能量传输，减少功率损耗；在电机驱动应用里，可确保电机稳定运行并提高整体系统效能。 **应用指导** 在实际电路设计时，需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET充分开启，一般推荐使用10V以上的驱动电压来获得较低的导通电阻。对于散热设计，根据具体工作电流大小合理选择散热片或者散热方式，如自然冷却或强制风冷等，保证MOSFET在安全温度范围内工作。

CSD19535KTT 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7930 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

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