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CSD19536KTT

更新时间:2025-05-24 02:57:09

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原厂渠道商，可支持60天账期及180天承兑

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TO263/2023+
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一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

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特价原装，假一赔十

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泽芯微售出每颗芯片只能是原装83227865

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原装免费送样一站式元器件采购商城

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原装无铅现货

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TI(德州仪器)
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16年老牌企业原装低价现货

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TO2633/24+
原装现货,提供BOM配单服务

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TI/德州仪器
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

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105000
TI
TO263/23+
原厂渠道，现货配单

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原装现货

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TI特价支持
VQFN24/22+
原装最低价，认准华盛锦

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10000
TI/德州仪器
DDPAK/TO2633/21+
原装进口现货/假一赔十/价格优势

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TI
TO263/23+
原装现货

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原装现货

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TI/德州仪器
TO263/23+
公司现货只做原装

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TI
N/A/22+
原装现货，自家库存

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TI
TO263/22+
只做现货，一站式配单

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TI/德州仪器
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只做原装,专注海外现货订购20年

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TEXASINSTRUMENTSINCORPORATED
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终端可以免费供样，支持BOM配单

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一级代理
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TI/德州仪器
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原装现货，提供配单服务

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Texas Instruments
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代理直销，公司原装现货供应

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QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

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MOSFET NCH 100V 200A TO263/2020+
原装现货配单

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Texas Instruments(德州仪器)
TO2633/25+
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TI/德州仪器
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中研正芯，只做原装

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TO263/21+
原厂渠道，现货配单

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TO2633/N/A
原装价钱优势联系电话13692265127 /17876146278

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TO263/23+
推荐型号保证有料，维库外单专营15年

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TI/德州仪器
TO263/23+
只做原装

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CSD19536KTT 概述

**芯片概述：** CSD19536KTT是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于高效能电源管理应用。其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合紧凑型电路设计。 **应用场景：** 典型应用于DC-DC转换器、负载开关及电池保护电路中。由于其卓越的热稳定性和较低的栅极电荷，非常适合用于便携式设备如智能手机和平板电脑等需要高效能量转换的场合。此外，在无线充电模块中也有广泛应用，能够有效提升系统整体效率，减少发热。 **使用建议：** 在实际设计时，需注意PCB布局以优化散热性能；推荐使用尽可能短且宽的走线连接源极与漏极，以降低寄生电感影响。对于高频应用，适当选择合适的栅极电阻值可进一步改善开关特性。

CSD19536KTT 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
NexFET?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
153 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12000 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

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