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NTTS2P03R2G

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产品型号:NTTS2P03R2G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135
最大漏极电流Id(on)(A):2.480
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150
描述:-2.48 A, -30 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥3.50


  来源:xiangxueqin
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