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BSS123W

更新时间:2025-06-15 22:20:23

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BSS123W 概述

BSS123W是英飞凌科技公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-323封装。它专为低压（最高20V）和小信号开关应用而设计。该器件具有低导通电阻特性，在栅极电压为4.5V时典型值为2.8Ω，这有助于降低开关损耗并提高能效。 BSS123W适用于各种便携式电子设备中的模拟开关、负载开关以及信号放大等应用场景。由于其紧凑的封装形式，非常适合对空间要求严格的电路板设计。在使用时应注意遵循推荐的焊盘布局和焊接工艺以确保可靠连接，并且要关注静电防护，避免因ESD损坏器件。

BSS123W 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
71 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323

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