在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有突破性的 30V 耐压共源 Nch 新产品 ——“AW2K21”。这款产品以其业界超低的导通电阻和超小的封装尺寸，为快速充电应用带来了全新的解决方案。

　　图 1：ROHM 推出的 “AW2K21”
　　产品亮点
　　“AW2K21” 的封装尺寸仅为 2.0mm×2.0mm，但其导通电阻却低至 2.0mΩ（Typ.），达到了业界先进水平。这一卓越性能的实现，得益于 ROHM 采用的自有结构。该结构不仅提高了器件的集成度，还显著降低了单位面积的导通电阻。此外，通过在一个器件中内置双 FET 的创新结构设计，仅需 1 枚 “AW2K21” 产品，即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。
　　ROHM 的自有结构将通常垂直沟槽 MOS 结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了 WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）封装。WLCSP 封装能够增加器件内部芯片面积的比例，从而进一步降低了新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低带来了诸多优势，不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使 “AW2K21” 能够以超小体积支持大功率快速充电。
　　通过实际对比可以更直观地感受到 “AW2K21” 的优势。例如，在对小型设备的双向供电电路进行比较时，使用普通产品需要 2 枚 3.3mm×3.3mm 的产品，而使用 “AW2K21” 仅需 1 枚 2.0mm×2.0mm 的产品即可。这使得器件面积可减少约 81％，导通电阻可降低约 33％。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸 GaN HEMT 相比，“AW2K21” 的导通电阻也降低了约 50％。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的 “AW2K21” 产品，有助于降低应用产品的功耗并节省空间。
　　此外，“AW2K21” 还可作为负载应用中的单向保护 MOSFET 使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。