在电子电路中，线性稳压器 IC 是一种常见的器件，然而，根据使用条件和环境的不同，线性稳压器 IC 的引脚可能会面临各种潜在风险，如反向电压、过电压等，这些情况可能导致输出电压无法正常上升，甚至损坏 IC。本文将详细介绍六种可能出现的情况，并给出相应的保护电路示例。

1. 输入输出电压条件反转时 → 反向电流旁路

在输出电容器容量较大的电路中，当输入电源关断后输出电容器仍有电荷残留，或者输入电源下降速度极快时，可能会出现输出电压高于输入电压的反转状态。此时，反向电流会通过 IC 中的寄生元件从输出端流向输入端。由于寄生元件并非为正常工作而配置，这可能导致元件劣化或损坏。

为防止反向电流流经 IC 内部，需在外部连接反向电流旁路。不过，当采用输入线路开路进行关断的方式时，反向电流值仅为 IC 的偏置电流，数值极小，不会导致寄生元件劣化或损坏，因此无需使用旁路二极管。

旁路二极管需要比 IC 内部的寄生元件更早导通。在 MOSFET 型线性稳压器中，其内部寄生元件的导通电压约为 0.6V，所以应选择正向电压 VF 低于此值的旁路二极管。反向额定电压应选择高于所用输入输出电压差的产品（降额 80% 以下），正向额定电流应选择大于反向电流值的产品（降额 50% 以下）。综合考虑这些条件，推荐使用或肖特基势垒二极管。但通常肖特基势垒二极管的反向电流较大，故应选择该值较小的产品（大约为 1μA 以下），否则即使通过 EN 引脚关闭输出，仍会有较多二极管的漏电流从输入端流向输出端。

2. 输出负载为感性负载时 → 输出端的反向电压保护

当输出负载为感性负载时，在输出电压关断瞬间，感性负载中蓄积的能量会释放到接地端。IC 的输出引脚与 GND 引脚之间有内部静电防护二极管，大电流流经该二极管时可能会导致 IC 损坏。为防止这种情况，需在静电防护二极管上并联肖特基势垒二极管（D1）。

另外，当 IC 输出引脚与负载通过较长导线连接时，导线的电感可能成为感性负载。此时，可使用示波器观察波形，查看输出关断时是否产生了瞬态反向电压。此外，当负载为电机时，电机的反电动势会导致同样的电流流过，因此也需要配置二极管。

3. 输入极性可能反接时 → 输入端的反向电压保护

将电源连接到输入端时，如果不小心将正负极反接，会有大电流流过 IC 输入引脚和 GND 引脚之间的静电防护二极管，可能导致 IC 损坏。防反接的简单方法是将肖特基势垒二极管或整流二极管与电源串联连接。

此外，还有二极管与电源并联连接的措施。由于需要比 IC 内部的静电防护二极管更早导通，因此需使用 VF 更低的肖特基势垒二极管。在正确连接状态下，其工作与无二极管时相同。但反接时，电源的全部电流会持续流向二极管，产生严重发热，如果输入电源的电流容量很大，会导致损坏。该电路是为了保护电路免受短暂疏忽性反接的影响，或以前端电源已配备过电流保护电路为前提的。

若想在此保护电路中进一步提高安全性，可以在电源上串联。虽然保险丝需要维护，但它能更可靠地保护电路。另外，还可以采用 P - ch MOSFET 与电源串联连接的方法。在正确连接状态下，P - ch MOSFET 导通，此时的电压降为 MOSFET 的导通电阻与输出电流 IO 的乘积，比二极管引起的电压降更小，因此功率损耗更低。反接时，MOSFET 不会导通，因此无电流通过。如果超过 MOSFET 栅极和源极间（已考虑降额）的额定电压，可在栅极和源极之间通过电阻分压来降低栅极和源极之间的电压。

4. 需要热插拔时 → 热插拔保护措施（输入端的浪涌保护）

在供电侧（输入）电源开启的情况下将线路连接到 IC 的输入端时，由于线路电感分量与连接的金属接触会产生脉冲波形。若该浪涌电压超过 IC 的额定值，可能导致 IC 损坏。为防止浪涌电压施加到 IC 的输入引脚，可采用 TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管来吸收浪涌以实现保护。

5. 不同电源间存在负载时 → 反向电流旁路

当不同电源之间存在负载时，每个电源的上升和下降时序不一样，因此电流会通过负载流入另一个电源的输出端。此时，IC 的输入和输出之间会产生反向电压，因此需要反向电流旁路二极管。

6. 正负电源（双电源） → 输出端的反向电压保护

在正负电源系统中，各电源的上升速度存在差异。当正负电源间存在负载时，先行上升的电源会通过负载从另一个的输出端汲取电流，从而导致反向电压施加到输出端。为防止 IC 损坏及输出电压无法上升，需要在输出端与 GND 之间连接 VF 更低的肖特基势垒二极管，以实现输出端的反向电压保护。