在电力电子的输入/输出电路中，需要进行滤波以实现必要的电能质量和EMC性能。考虑到这一点，TDK 开发了新系列的爱普科斯 (EPCOS) 交流滤波电容器，该电容器因其高可靠性和...
FPC连接器（Flexible Printed Circuit连接器）是一种用于连接柔性印刷电路板（FPC）或柔性电路板（Flex PCB）的连接器。以下是关于FPC连接器的使用方法及注意事项： 使用方法： 插拔：插入FPC时，要确保方向正...
1.了解额定电压 电阻器的初级额定电压是其限制元件电压（LEV），有时称为工作电压。这是可以施加在其欧姆值的电阻器上的最大连续电压大于或等于临界电阻。低于该值时，...
继电器的继电特性指的是继电器在工作时表现出的特性，主要包括以下几个方面： 隔离性：继电器在工作时能够将控制回路和被控制回路隔离开来，从而避免高电压或高电流对控制回路的影响。 放大作用：继电器可以将...
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压；在漏-源之间aD5,加正向电压ups，以形成漏极电流iu<0,既保证了栅-...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFE...
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半...
分类：元器件应用 时间：2024-01-18 阅读：1130 关键词：耗尽型 MOSFET
雷莫（LEMO）很高兴地宣布在久经考验的M系列中新增一款多芯同轴配置，命名为LM.232，尺寸为LM，最多可有12个同轴针芯。这些新的插头和固定插座是专门为满足非常苛刻的环境条件下最严格的高频连接要求而设计的。 ...
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给...
电阻率（resistivity）是指单位长度、单位横截面积的导体材料对电流通过的阻力大小。它是描述材料本身抵抗电流流动的特性的物理量。 电阻率常用符号为ρ（rho），单位为Ω·m（欧姆·米）。电阻率的值与导体材料...
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管，以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a...
包括可见光、不可见光、激光等不同类型，这里只对可见光发光二极管做一简单介绍。发光二极管的发光颜色决定于所用材料，目前有红、绿、黄、橙等色，可以制成各种形状。 ...
电阻值通常用颜色代码表示。实际上，所有额定功率高达 1 瓦的引线电阻器都标有色带。该编码在国际标准IEC 60062中定义。本标准描述了电阻器和电容器的标记代码。除了定义色带外，该标准还包括数字代码，通常用于表面...
二极管的几种常见结构如图1.2.2(a)(c)所示，符号如图(d)所示。 图(a)所示的点接触型二极管，由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接形成 PN结。因而结面积小，不能通过较大的电流。但其结电容较小，一般在1 pF ...
1952年，IEC（国际电工委员会）决定将电阻值和容差值定义为标准，以方便电阻器的大规模制造。这些被称为“首选值”或“E 系列”，并在标准 IEC 60063:1963 中发布。这些标准值也适用于电容器、电感器和齐纳二极管等...
您可能有一整盒E12 系列电阻器，如图 1 所示，但仍然无法获得足够接近您所需电阻的值。如果您需要 50 kΩ 电阻，最接近的电阻是 47 kΩ。当然，这个误差在 10% 以内，但这...
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比，SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大，因此可以承...
分类：元器件应用 时间：2024-01-08 阅读：814 关键词：SiC MOSFET
