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国半推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器

出处：maychang 发布于：2007-12-17 16:46:14

　　国家半导体公司(National Semiconduct，简称国半)推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-的高压栅极——LM5107。该器件派生自LM5100系列，能和高达100V的电压一起工作。

　　LM5107的输出由TTL兼容的输入阈值单独控制，并集成了高压，用以向高边栅极驱动升压电容充电。强健的电平转移技术能工作在高速度而消耗低功率。该器件还提供了从控制输出逻辑到高边栅极驱动器干净的电平转换。在低边和高边两个电源轨提供了欠压锁住。

　　LM5107的峰值电流沉/源输出分别为1.4A/1.3A，具备单独的TTL兼容输入，升压电源电压高达118VDC，快速传输时间典型为27ns；驱动1000pF负载的上升和下降时间为15ns；典型传输时延匹配为2ns。

　　LM5107可提供SOIC-8和热增强LLP-8两种封装。有现货供应。1,000量订购的单价为0.95美元(仅供参考)。

  
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