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IMD10AT108 Datasheet

  • IMD10AT108

  • Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...

  • 968.00KB

  • 3页

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IMD10AT108 产品属性

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • -

  • 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

  • 100mA，500mA

  • 50V

  • 10k，100

  • 10k

  • 100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V

  • 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA

  • 500nA

  • 250MHz，200MHz

  • 300mW

  • 表面贴装

  • SC-74，SOT-457

  • SMT6

  • 带卷 (TR)

  • IMD10AT108TR

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