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IRLI640G Datasheet

  • IRLI640G

  • Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)

  • 332.53KB

  • 8 Pages页

  • IRF [International Rectifier]

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IRLI640G 产品属性

  • 1,000

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 逻辑电平门

  • 200V

  • 9.9A

  • 180 毫欧 @ 5.9A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 66nC @ 10V

  • 1800pF @ 25V

  • 40W

  • 通孔

  • TO-220-3 全封装，隔离接片

  • TO-220-3

  • 管件

  • *IRLI640G

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