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FF450R12ME3

更新时间:2025-05-16 20:26:15

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制造商
Infineon
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
2100 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
EconoDUAL-3
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
Screw
工厂包装数量
12

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