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FQP10N20L

更新时间:2025-05-24 09:14:21

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FQP10N20L 概述

FQP10N20L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。其最大漏源电压为200V，适合在高电压电路中使用。典型应用场景包括直流-直流转换器、电机驱动控制、电源开关以及不间断电源系统等。由于其良好的热稳定性和电气性能，在需要高效能量转换的场合表现优异。在实际应用中，设计者应注意正确设置栅极驱动电压以确保MOSFET完全开启。通常建议驱动电压为10V以获得最低导通电阻。此外，合理布局PCB走线以减小寄生电感对开关性能的影响也至关重要。对于新手而言，可以参考官方提供的参考设计进行电路搭建，避免潜在的设计失误。

FQP10N20L 规格参数

制造商
Fairchild Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
200 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
10 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.36 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
下降时间
95 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
87 W
上升时间
150 ns
典型关闭延迟时间
50 ns

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