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STB5NK52ZD-1

更新时间:2025-05-15 20:51:49

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STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STB5NK52ZD-1 概述

5NK52ZD-1是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源应用。其典型应用包括适配器、LED照明驱动、电信电源等需要高效能量转换的场合。在这些应用中，STB5NK52ZD-1能够提供较低的开关损耗和优秀的热性能，有助于提高系统整体效率。使用时需要注意栅极驱动电压的选择，建议在10V以上以确保最佳导通电阻。对于PCB设计，推荐使用大面积铜箔连接源极和漏极焊盘，以改善散热效果。在实际电路中，可与PWM控制器配合使用，构成同步整流或非同步整流拓扑结构，实现高效的DC-DC转换功能。

STB5NK52ZD-1 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
520V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
529pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
其它名称
497-5952-5

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