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SUM110P06-08L-E3

更新时间:2025-06-15 17:12:34

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SUM110P06-08L-E3 概述

SUM110P06-06L-E3是由Vishay公司生产的一款P沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效能电源管理应用，具有低导通电阻和高电流承载能力。其最大漏极-源极电压（Vds）为-60V，在连续漏极电流（Id）方面可以达到-18A（在特定条件下）。此MOSFET适合于各种需要高效率开关操作的电路中，如DC-DC转换器、电池供电设备以及电机驱动控制等。它的小型封装（DPAK）使得它非常适合空间受限的设计需求，同时还能提供良好的热性能。由于其优越的电气特性，SUM110P06-06L-E3广泛应用于工业控制、汽车电子等领域，是高性能与可靠性的理想选择。注意在使用时需遵循适当的散热设计以确保稳定工作。请注意，型号中的“06”可能表示Vds电压等级，请确认具体的技术文档以获取准确信息。如果涉及到具体的应用设计，请查阅最新的产品手册来确保所有参数符合要求。

SUM110P06-08L-E3 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
110A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9200pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263（D2Pak）
包装
带卷 (TR)
其它名称
SUM110P06-08L-E3TR

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