制造商：ON Semiconductor

产品种类：Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性：PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V

发射极 - 基极电压 VEBO：5 V

最大直流电集电极电流：0.2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 0.1 mA at 1 V

配置：Single

最大工作频率：250 MHz

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：Through Hole

封装 / 箱体：TO-92-3 (TO-226)

封装：Ammo

集电极连续电流：0.2 A

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：250 mW

工厂包装数量：2000

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