2N6386
参数信息:
参数信息:
制造商:Central Semiconductor
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
最大直流电集电极电流:8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
最大工作频率:20 MHz
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220
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