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BC858B T/R
参数信息:
参数信息:
制造商:NXP
产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
直流集电极/Base Gain hfe Min:220 at 2 mA at 5 V
配置:Single
最大工作频率:100 MHz
最大工作温度:+ 150 C
BC858B T/R历史价格
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