数据列表：RN211(4-8)MFV

标准包装：8,000

类别：分离式半导体产品

家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

系列：-

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V

电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k

电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 10mA，5V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大）：500nA

频率 - 转换：-

功率 - 最大：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商设备封装：VESM（1.2x1.2）

包装：带卷 (TR)

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