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ga200hs60s1pbf价格行情

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ga200hs60s1pbf中文资料

  • Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A～200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

    日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10μs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz～60khz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200khz 以上的工作频率。 vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a～200a 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器

  • Vishay发布新系列半桥IGBT模块，包含八个600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用业界标准int-a-pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(igbt)。该系列由八个600v及1200v器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同igbt技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通(pt) igbt技术，而ga200ts60upbf，ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。 gb100ts60npbf，gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第5代非穿通(npt)技术，可实现10μs短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达1khz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个igbt是与用于桥配置的hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8khz～60khz的高工作频率，在共振模式下可实现200khz以上的工作频率。 vishay新型igbt系列

  • Vishay 推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)

    日前，vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10µs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred® 超软恢复反并联二极管

  • Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A～200A高额定电流新系列半桥600V及1200V IGBT模块

    日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10µs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快

  • Vishay发布新系列半桥IGBT模块，包含八个600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用业界标准int-a-pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(igbt)。该系列由八个600v及1200v器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同igbt技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通(pt) igbt技术，而ga200ts60upbf，ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。 gb100ts60npbf，gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第5代非穿通(npt)技术，可实现10μs短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达1khz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个igbt是与用于桥配置的hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8khz～60khz的高工作频率，在共振模式下可实现200khz以上的工作频率。 vishay新型igbt系列

  • Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块

    vishay宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf, ga75ts120upbf, 及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf,gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10μs 短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz～60khz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200

ga200hs60s1pbf替代型号

GA100TS120UPBF GA100TS120U G965 G920 G910 G84-303-A2 G80N60 G73-N-B1 G710 G707

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