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MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
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压(vf)已经是400 mv，这就导致无法提供足够的电压裕量。而且随着充电电流的增加，肖特基二极管所促成的0.4 v极高压降更会使其成为一个阻塞点。因此，在今后的解决方案中应该避免使用fetky解决方案。 而在另一方面，通过用具有低v ce(sat)的晶体管或者具有低rds(on)的mosfet代替肖特基二极管，可以降低传输元件上的压降，从而符合所需要的有限电压裕量要求。例如，双fet用作充电功率元件(如图3(b)所示)就是一个更加合适的选择。在这方面，安森美半导体的ntljd3115p和nthd4102p就是非常适合的选择。其中，ntljd3115p是一款-20 v、-4.1 a、μcool? 双p沟道功率mosfet，它采用2×2 mm的wdfn封装，具有极低的导通阻抗，其0.8 mm的高度也使其非常适合纤薄的应用环境；它针对便携设备中的电池和负载管理应用进行了优化，适合于锂离子电池充电和保护电路应用及高端负载开关应用。而nthd4102p是一款-20 v、-4.1 a双p沟道chipfettm功率mosfet，同样具有较小的占位面积和极低的导通阻抗，适合于纤薄的便携应用环境。 具体而言
态时，它可以在1.5?s (典型值)内被触发至关断状态。为usb充电器选择ovp ic时，应确保ovlo最大值低于直接连接至电源的ic的“最高绝对工作电压”。为了满足mii的usb充电器要求，适合的ovlo值应低于6v。如上所述，由于高充电电流和有限的电压裕量，传输元件(mosfet)的rds(on)应保持尽可能低。在ncp347中，集成的n沟道mos开关的典型ron仅为典型值65mω。这个值是市场中同类产品中最低的。 图3：采用两个具有低rds(on)的mosfet作为传输元件。nthd4102p是一个典型rds(on)值为6?mω的双p沟道mosfet，因此充电电流为1a时仅产生0.13v的压降。 带连接至处理器的接口的ovp ic可实现更加智能的保护方案。假定flag引脚报告故障状态，enable引脚通过编程将处理器设定为检测到连续的故障状态时明确地禁止ncp347。否则，当故障状态被消除时，ovp应自动地再次导通。最后，其2.5x2.5x0.55mm的超薄封装应适合任何小型便携式设计。这种保护电路将确保手机通过cttl要求的60分钟的过压测试条件。 图4 带锂离
产品型号:NTHD4102PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):1
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.90<...
电流参数：ID=-2.9A/IS=-13.8A电压参数：UDSS=20V/UGS=±8V功 率： PD=1.1W其他参数：4.5V/64mΩ、2.5V/85mΩ，1.8V/120mΩ，tn=20ns极 性：P备 注：双场效应管/内含二极管
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