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ntqd6866r2g供应商优质现货

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  • NTQD6866R2G的技术参数

    产品型号:ntqd6866r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30最大漏极电流id(on)(a):6.900通道极性:n沟道封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150描述:6.9 a, 20 v功率mosfet价格/1片(套):￥5.00 来源:xiangxueqin

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ntqd6866r2g替代型号

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NTQD6968NR2G NTR0202PLT1 NTR0202PLT1G NTR1P02LT1 NTR1P02LT1G NTR1P02T1 NTR1P02T1G NTR2101PT1G NTR4003NT1G NTR4101P

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