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当前位置：维库电子市场网>IC>std150n3llh6 更新时间:2025-07-21 05:27:32

std150n3llh6供应商优质现货

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  • 标准包装:

    1

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    STripFET™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    80A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    2.8 毫欧 @ 40A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    2.5V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    29nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    3700pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    110W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 供应商设备封装:

    D-Pak

  • 包装:

    Digi-Reel?

  • 其它名称:

    497-8889-6

  • ST推出全新系列30V表面贴装功率晶体管

    ，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。 意法半导体新30v表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括so-8、dpak、5×6mm powerflat、3.3×3.3mm powerflat、polarpak?、通孔ipak和sot23-6l，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的stripfet vi deepgate产品系列可以创造出最大的市场机遇。 首批采用新工艺的产品包括stl150n3llh6和std150n3llh6两款产品。stl150n3llh6采用5×6mm powerflat封装，单位面积导通电阻rds(on)达到市场最低水平；std150n3llh6采用dpak封装，导通电阻 rds(on)为2.4毫欧。 两款产品的样片都已上市，计划2009年6月开始量产。

std150n3llh6替代型号

STD11NM60ND STD11NM60N STCC08 STCC05-BD4 STC89LE58RD+ STC89LE58RD STC89LE58AD STC89LE58 STC89LE54RD+ STC89LE54RD

STD18NF03L STD2000 STD32 STD3NK80Z-1 STD4NK50 STD55NH2LL STD5N95K3 STD5NK52ZD STD60N3LH5 STD6N62K3

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