P（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应（FET），其工作原理如下：
　　PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层，称为氧化层或门绝缘层。在氧化层上方有一个金属门电极。
　　静态工作原理：
　　没有输入信号时（静态情况），PMOS处于截止状态。当门电极与源极之间施加负电压时，沟道中形成一个正电荷区域，阻止了电流的流动。
　　当门电极与源极之间施加高电平（正电压）时，正电荷区域被中性化，沟道导通，漏极与源极之间形成电流路径，PMOS处于导通状态。
　　动态工作原理：
　　当输入信号（称为控制信号或门电压）施加到门电极上时，PMOS的沟道电阻会发生变化，从而调节漏极与源极之间的电流。
　　当控制信号为低电平（负电压）时，沟道电阻较高，漏极与源极之间的电流减小。
　　当控制信号为高电平（正电压）时，沟道电阻较低，漏极与源极之间的电流增大。
　　总结来说，PMOS管的工作原理是通过调节门电极的电压来控制沟道的导通与截止，从而实现对漏极与源极之间电流的控制。当门电极施加高电平时，PMOS导通；当门电极施加低电平时，PMOS截止。这使得PMOS在、模拟电路和理等应用中具有重要地位。