导读：随着终端产品朝行动化的趋势发展，内置的储存装置在规格尺寸上开始转向轻薄设计，并对于产品在耐用性上的要求更加严格。瞄准工业用计算机也将受到此潮流的驱动下，宇瞻推出两款超薄型固态硬盘，分别为符合JEDE...
时间：2014-04-11 阅读：1218 关键词：宇瞻推出两款超薄型固态硬盘宇瞻 固态硬盘 SATA 3.0
导读：日前，富士通半导体（上海）有限公司开发出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件拥有1Mb内存，是富士通半导体所有I2C串行接口产品中最高内存容量的产品。据悉，MB85RC1MT拥有128K字符X8位的1Mb内存，可在摄氏零下...
时间：2014-02-26 阅读：1976 关键词：富士通半导体开发出全新FRAM器件MB85RC1MT富士通半导体FRAM器件1Mb内存MB85RC1MT
导读：据报道，全球闪存存储解决方案供应商闪迪公司（以下简称“SanDisk”）日前宣布推出新一代高速紧凑的X110SSD.并且此款高速X110SSD可使华硕ZENBOOKUX301LA超极本具备高达512GB的大容量快速响应闪存存储，实现应...
时间：2014-01-14 阅读：2514 关键词：SanDisk推出新一代高速紧凑的X110 SSDSanDiskX110固态硬盘
导读：据报道，三星于日前正式宣布其研发的业界首款采用LPDDR4的8Gb移动DRAM.此款8Gb移动DRAM的成功研发是三星在DRAM市场上的一个重大突破，也为用户提供了前所未有的性能体验。日前，三星正式宣布其研发的业界首款...
时间：2013-12-31 阅读：1359 关键词：业界首款采用LPDDR4的8Gb移动DRAM问世三星LPDDR4移动DRAM
MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片
导读：近日，富士通半导体宣布推出一款全新的4MbitFRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM.富士通半导体近日宣布...
时间：2013-12-20 阅读：1826 关键词：MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片FRAM芯片SRAM并列接口MB85R4M2T
摘要：云计算技术的出现为数据挖掘技术的发展带来了新的机遇。云计算技术通过使存储和计算能力均匀的分布到集群中的多个存储和计算节点上，从而实现了对超大数据集的巨大的...
时间：2013-12-12 阅读：7587 关键词：基于HADOOP的数据挖掘平台分析与设计HADOOP数据挖掘数据存储编程模式
摘要：针对测控系统中海量数据的快速存储，设计了一种基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案。它是以FPGA为平台构建的SOPC系统，内含软核处理器Microblaze和包含DMA控制器的...
时间：2013-12-10 阅读：1501 关键词：基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案DMA高速数据闪存阵列核处理器
导读：LSI公司日前发布了一直居于市场领先地位的SandForce闪存控制器第三代SF3700系列产品。该器件相比以往产品能够提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度，充分满足SSD制造商的严格要求。日前，LSI公司发布了一直...
时间：2013-11-26 阅读：2272 关键词：第三代SandForce闪存控制器SF3700系列问世LSI公司SandForce闪存控制器SF3700系列
摘 要：以铁路道口应用为例，设计了一种基于SD卡的信息数据存储警示系统。该系统可在需要警示的情况下，通过人工操作或自动触发发出相应的警示信息，包括LED显示屏显示文字...
时间：2013-11-15 阅读：1655 关键词：基于SD卡的文字声光警示系统的研究SD卡数据存储警示系统
导读：日前，瑞萨电子推出了12款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品，这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先进低功耗SRAM（先进LPSRAM）。据报道，作为全球领先的半导体及解决方案供应商...
导读：固态硬盘NAND flash一向是信息产品的储存要角，SLC始终以高品质、效能佳与长时间的耐用度受到使用者的信任，但基于成本的考量，MLC才是工业计算机可接受的选择，因此...
时间：2013-10-15 阅读：1721 关键词：宇瞻科技发布最新SATA SLC-lite固态硬盘系列宇瞻科技SATA SLC-lite固态硬盘
导读：日前，莱迪思半导体公司宣布推出现场可编程门阵列（FPGA）系列-- MachXO3.该系列凭借先进的封装技术，在一个小封装内实现了的成本和更高的I/O密度。可广泛用于所有细...
时间：2013-09-27 阅读：1537 关键词：莱迪思半导体公司推出超低密度MachXO3 FPGA系列莱迪思MachXO3 FPGA可编程门阵列
摘要：本文介绍了一种基于Flash的高速数据采集记录装置的实现方案；文中采用了Flash高速存储技术与FPGA的二级缓冲技术，提高了存储速度，突破存储芯片的瓶颈，成功实现了数...
时间：2013-09-18 阅读：1807 关键词：一种高速数据采集记录装置的设计数据存储数据采集记录存储模块
