在利用光来控制一个过程的应用中，要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定，采用一个简单的电路就可为许多应用提供的光强度。即便发光器件老化，通过调整LED电流，一个控制环也可维持恒定的光强度。

    本文讨论了该电路的一个实例：

    随着时间的推移，初校准得很好的也会变差。随着LED的老化，其电流-发光转换比率会降低，发光强度也会变弱。要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定。这种配置适合以下应用：用于光强度测量的光强度测定应用、针对伺服系统光定位的控制应用，以及光参考测试设备等。

    光电特性

    光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电件。

    普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

    硅光电二极管跟PN结二极管的结构类似，只不过前者的P层有点薄。P层厚度可进行调整以使光的波长能被检测到。跟其它二极管一样，光电二极管也有电容，电容大小与加在其上的反偏压成正比，典型值范围为2-20pF。

    光电二极管有正极和负极，可工作于正向模式（电流从正极流向负极）或反向模式（电流从负极流向正极）。当光电二极管工作于反向模式（正极为负）时，在某一给定频率上其发光线性特别好，这在设计控制电路时尤其有用。

    原型设计

    在图2中，一个原型电路用于分析带运算放大器的控制环。该电路驱动一个PNP，晶体管再给LED提供电流来产生光源。LED所发出的部分光会照到光电二极管上，再转换成很小的电流，一般只有10μA左右。

    图3给出了该电路的一个实例，它采用国家半导体公司的LMV2011精密运算放大器。参考电压由该公司的LM4041-1.2器件产生，它提供固定的1.225V参考电压，该器件的电流设定为约10mA，正处于其工作范围的中间。

    VBIAS由两个为1%的电阻产生，电压值设定为约1V。VREF和VBIAS之间的差值除以RG，就可得出控制环封闭的光电二极管电流。要注意的是，VBIAS须小于VREF，否则电路不能工作。如果光电二极管电流为10mA，那么RG应该为0.2×10E-6或20.0k。

    采用一个4.7k的电阻来限制PN200A PNP晶体管基极电流，该电阻将电流限定在1mA左右。该晶体管的（值约为100，因此它所提供的电流约为100mA，这已经超出小型SOT-23封装的散热范围。为防止晶体管的过高热量，将一个限流电阻与LED或激光二极管串联，使该二极管达到工作负荷，从而限定晶体管集电极的电流。如果需要更大的电流，则须选用集电极电流大的晶体管，而且要采用SOT-223等较大的封装。为了限定电路带宽以维持稳定性，选用一个15pF的电容与光电二极管电容并联（在1.2VBIAS时其电容大小也约为15pF），从而将放大器的工作频率限定在250kHz左右。