在现代电子设备不断发展的背景下，电磁兼容（EMC）问题愈发受到关注。EMC 的核心含义是 “和平相处”，即设备之间、板内的器件与走线等都要互不干扰。设备与外界的 EMC 是认证阶段重点考量的方面，而本文着重探讨板...
在电子设备的运行中，AC220V 交流电是常见的电源输入形式。而开关电源的 EMC（电磁兼容）设计对于设备的稳定运行至关重要。本文将详细介绍一种 AC220V 开关电源的 EMC 设计...
在射频（RF）应用领域，假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）功率放大器凭借其高增益和能够在高开关频率下运行的优势，得到了广泛的应用。然而，由于 pHEMT 属于耗尽型器件，其...
地震检波器总体设计地震检波器组成基于 MEMS 的无线数字地震检波器主要由 MEMS 传感器板、放大采集板、FPGA 控制主板、无线触发接收板、无线 WIFI 模块板和供电电源电路等...
大联大友尚集团推出基于NXP和onsemi产品的汽车驾驶员监控系统方案
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于恩智浦（NXP）i.MX 8M Plus处理器平台和安森美（onsemi）AR0144图像传感器的汽车驾驶员监控系统方案。 随着汽车智能化进程的加速推进，驾驶安全已然成为社会各界高度关注的重...
DCDC 开关电源：以减小电感寄生参数之法降低 EMI 与电压应力
在电子设备的电源设计领域，DCDC 开关电源的电磁干扰（EMI）和电压应力问题一直是工程师们关注的焦点。随着场效应晶体管（MOSFET）开关速度的不断提高，同步降压转换器中的...
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片...
分类：嵌入式系统/ARM技术 时间：2025-04-30 阅读：1453 关键词：EMMCNAND闪存
对于当前的模拟，仅考虑传导发射。辐射发射将来可以在三维模型中实现。创建的仿真模型旨在与其他 PSpice 模型连接，以制作测试电动汽车的完整模型。 近年来，化石燃料的...
MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems，微机电系统）芯片是一种微型化的电子设备，它结合了微电子技术和微机械技术，能够实现传感、驱动、执行等功能。MEMS芯片的工作原理基于机械、电子、光学和流体动力学等原理...
时间：2025-02-11 阅读：369 关键词：MEMS芯片
EMC测试分为两个主要类别： 排放测试：确保电力线，通信线和系统本身发出的能量保持在可接受的限制之内。设备通常会失败，因为它的某些部分会产生过多的辐射能量。 ...
电磁干扰滤波器 EMI 滤波器只是高密度电源转换器难题中的一小部分。最近推广的宽带隙功率器件（包括 SiC 和 GaN）有望通过更高的开关频率提高功率密度。然而，当开关频...
华北工控AIOT主板EMB－3582，赋能汽车智能网联化发展
智能网联汽车是融合现代通信与网络技术，通过搭载先进的控制器、车载传感器、执行器等装置，具备自主的环境感知、智能决策、协同控制和执行等功能，最终实现高度自动化驾驶的高新技术综合体。相较于传统汽车，其核心...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2024-12-19 阅读：467 关键词：主板EMB－3582
这是 EMI/EMC 故障排除迷你系列的最后一部分。电源干扰通常被视为 EMC 的继子，但它变得越来越重要。 在设计层面，我们发现近年来电源干扰显着增加。这些问题是由改进的电源组件造成的，它允许更快的开关速率、更...
共模半导体推出基于Turbo Switch技术的小体积、高效、低 EMI、同步 6A 降压变换器
GM2500是一个小体积、高效、低 EMI、同步 6A 降压DC/DC变换器，其中LQFN-12封装的芯片体积为 2mm x 2mm x 0.74mm，是业界目前最小尺寸的5V/6A降压芯片。采用共模独有的Turbo Switch技术，GM2500可工作于高达9MHz的开...
TI - 借助完全可互操作且符合 EMC 标准的 3.3V CAN 收发器简化汽车接口设计
随着汽车的不断发展，配备的先进功能越来越多，旨在增强安全性、舒适性和便利性。更多的功能意味着需要更复杂的电子器件，这凸显了电源效率的重要性。高能效有助于延长行驶...
时间：2024-11-26 阅读：303 关键词：收发器
STS8200 用于动态测试三个 p-GaN HEMT 器件。这些标有 A/B/C 的 650 V 额定器件来自不同制造商，典型室温导通电阻 (RDSON) 额定值分别为 240 mΩ、130 mΩ 和 40 mΩ。如图 1 所示的测试电路使用可调电阻负载来实现...
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度，包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...
分类：元器件应用 时间：2024-10-31 阅读：300 关键词：p-GaN HEMT功率器件
由阿尔伯特·爱因斯坦 (Albert Einstein) 1,2以及随后的保罗·朗之万 (Paul Langevin, 1908) 通过随机微分方程进行研究。与在粘性流体中移动、与构成流体的分子随机碰撞的...
Onsemi 宣布推出适用于高达 1kV 的飞跨电容升压转换器的 112 x 62mm 电源模块。
它将 1kV 硅 IGBT 和 1.2kV 碳化硅二极管结合在该公司的 F5BP 封装中。 该器件名为 NXH500B100H7F5SHG，可处理高达 210A 的连续集电极电流（630A 脉冲）（Tj = 175°C）。绝对最大功耗为 305W。 Onsemi NXH500...
memset（翻译：清零）是计算机中C/C++语言初始化函数。 作用是将某一块内存中的内容全部设置为指定的值， 这个函数通常为新申请的内存做初始化工作。 memset 函数用于将内存区域的所有字节设置为指定的值。其...
