在低压差线性稳压器（LDO）的设计中，MOS 管扮演着至关重要的角色，它作为调整元件，通过改变自身的导通电阻来维持输出电压的稳定。其工作原理是：当输出电压发生变化时，...
全面剖析 LDO 原理，对比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差异
在电子电路设计中，电压稳定是保障设备正常运行的关键因素之一。LDO（低压差线性稳压器）作为一种重要的电源管理元件，在众多领域发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨 LD...
MOS管是一种场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），其名称源自金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管包括两种类型：NMOS（N-Channel MOS）和PMOS（P-Channel MOS）。 NMOS（N-Channel M...
低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位...
摘 要：由于PD SOI工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区...
分类：其它 时间：2013-08-07 阅读：6473 关键词：基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究PD SOI工艺高压NMOS器件工艺
立迪思新推两款LDO控制器，用于驱动NMOS或NPN旁路晶体管
立迪思科技有限公司(LeadisTechnology,Inc.)日前宣布已可供应LDS124P及LDS128P新产品的测试样品。该两款LDO控制器专为驱动NMOS或NPN旁路晶体管而设计。立迪思主要开发适用于消费类电子设备产品，包括彩色显示屏驱动...
分类：工业电子 时间：2008-05-29 阅读：3058 关键词：立迪思新推两款LDO控制器，用于驱动NMOS或NPN旁路晶体管TO-92SOT-23SOT-23-5控制器晶体管
远翔科技(FeelingTechnology)推出单组内建P+NMOS的DC-DC同步转换IC——FP6160，FP6160采用低脚数TSOT-25封装，IC本身属于低压+2.5V到+5.5V的操作电压范围，内部PWM工作频率达1.5MHz，同时内
分类：其它 时间：2007-12-11 阅读：1846 关键词：远翔推出单组内建P+NMOS的DC/DC同步转换ICMSOP-8
TPS731xx系列低压降(LDO)线性稳压器采用新型拓扑：电压输出器配置中包含NMOS导通元件。该拓扑在使用外部电容器的情况下非常稳定，且具有低ESR特性，甚至可以在无电容器的情况下工作。该器件还具有较高的反向阻断电流...
分类：电源技术 时间：2007-12-03 阅读：1833 关键词：TI推出无电容NMOS低压降线性稳压器TPS731125
