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SDI200S12 Datasheet

  • SDI200S12

  • Sirectifier Semiconductors [SPT IGBT Modules]

  • 455.78KB

  • SIRECTIFIER

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SDI200S12
SPT IGBT Modules
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")
Absolute Maximum Ratings
Symbol
IGBT
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
T
Vj,
(T
stg
)
Conditions
T
C
= 25
o
C,
unless otherwise specified
Values
1200
Units
V
A
A
o
T
C
= 25(80)
C
T
C
= 25(80)
o
C, t
P
=1ms
_
T
OPERATION
< T
stg
AC, 1min
o
310(220)
620(440)
_
+20
_ 40...+150(125)
4000
190(130)
620(440)
1450
V
C
V
V
isol
Inverse Diode
I
F
=-I
C
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C, t
P
=1ms
I
FRM
I
FSM
t
P
=10ms; sin.;T
j
=150
o
C
A
A
A

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