一、核心导通原理P沟道MOS管(PMOS)的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)(典型值-0.5V至-5V)时,栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道,实现源...
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点: 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。 MOS...
一、核心导通原理P沟道MOS管(PMOS)的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)(典型值-0.5V至-5V)时,栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道,实现源...
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