电流和电压确实很重要，但功率从几个方面提供了更完整和有用的射频视图：功率提供了一种更直接、更方便的方式来表征射频系统的性能，评估信号强度，优化能量传输，确保安全...
肖特基二极管（Schottky Diode）和快恢复二极管（Fast Recovery Diode）都是常用的半导体器件，它们在电子电路中的作用和应用有所不同。下面是它们的主要区别： 1. 工作原理 肖特基二极管：肖特基二极管采用金...
随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
在射频电路中，射频检波器主要是对射频信号进行检测并以特定方式对其进行测量和转换。按照分类，射频检波器有峰值检波器（peak detectors）、对数放大检波器（log amp detectors）、RMS检波器等；而二极管检波器是一...
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些...
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个...
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备...
通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价...
一、什么是肖特基二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，简称SBD，它是一种低功耗、超高速半导体器件，它是一种热载流子二极管。 二、肖特基二极管结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区...
肖特基二极管由金属到N结构成，而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管，其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。 7.1肖特基二极管技术与结...
近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统...
肖特基二极管的内部结构 肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和...
提到低功耗、大电流、超高速半导体器件，很多工程师同学肯定能首先想到肖特基二极管（SBD）。 但是你真的会用肖特基二极管吗？和其他的二极管比起来，肖特基二极管又有什么特别之处呢？ 0 1 肖特基二极管的关键参...
在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳...
分类：元器件应用 时间：2021-01-05 阅读：526 关键词：ADI - 采用额外的肖特基二极管减少干扰ADI
碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与...
分类：元器件应用 时间：2020-11-18 阅读：577 关键词：碳化硅肖特基二极管的优点及应用碳化硅肖特基二极管
