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IMD16AT108 Datasheet

  • IMD16AT108

  • Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...

  • 116.00KB

  • 4页

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IMD16AT108 产品属性

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • -

  • 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

  • 100mA,500mA

  • 50V

  • 100k,2.2k

  • 22k

  • 100 @ 1mA,5V / 82 @ 50mA,5V

  • 300mV @ 2.5mA,50mA / 300mV @ 100µA,1mA

  • -

  • 250MHz

  • 300mW

  • 表面贴装

  • SC-74,SOT-457

  • SMT6

  • 带卷 (TR)

  • IMD16AT108-NDIMD16AT108TR

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