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zxmn2b01f供应商优质现货

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zxmn2b01f价格行情

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zxmn2b01f中文资料

  • Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

    zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草

  • 赛灵思推出高性能DSP平台VIRTEX-5 SXT FPGA

    zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草

  • 安捷伦推出业界首款用于数字通信分析仪的相噪应用软件和选件..

    模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω)，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:零八我的爱

  • zetex发布三款有限驱动电压应用设计的MOSFET

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  • Zetex新型MOSFET适用于超低栅极驱动操作

    模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（mΩ;）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。

  • Zetex推出适用于超低栅极驱动操作的新型MOSFET

    模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6（sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻分别低于75毫欧、100毫欧和200毫欧，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。

  • TI针对恶劣过程环境推坚固耐用的封装标签

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  • Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

    zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 详情请访问：www.zetex.com

zxmn2b01f替代型号

ZXMN0545G4 ZXLD1615 ZXLD1601 ZXLD1362ET5TA ZXLD1362 ZXLD1360 ZXLD1356 ZXLD1350 ZXLD1322 ZXLD1320

ZXMN2B03E6 ZXMN2B14FH ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8 ZXMN3G32DN8 ZXMP2120E5 ZXMP2120G4 ZXMS6002G

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ZVP2106GTA ZXMN3F30FHTA ZXMN6A08E6TA ZJYS51R5-2PT ZT202LEEN ZXMN2F30FHTA ZXM62P02E6TA ZEN056V230A16LS ZXMP3A16DN8TA ZR36966ELCG-U

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