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当前位置：维库电子市场网>IC>zxmn2f30fhta 更新时间:2025-07-02 03:27:38

zxmn2f30fhta供应商优质现货

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  • 回收全系列电子料元器件150-13067-403

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  • 场效应管(MOSFET)N沟道 20V 4.1A类型N沟道 漏源电

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zxmn2f30fhta价格行情

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zxmn2f30fhta中文资料

  • 标准包装:

    3,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    20V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    4.1A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    45 毫欧 @ 2.5A，4.5V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    1.5V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    4.8nC @ 4.5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    452pF @ 10V

  • 功率 - 最大:

    960mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    ZXMN2F30FHTR

  • Zetex推出新款无铅封装MOSFET产品ZXMN2F34MA

    。该器件采用的 dfn322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%，有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5v 和 2.5v 的典型栅源极电压下，zxmn2f34ma 的导通电阻值分别仅有60mω和120mω。 此外，新器件的反向恢复电荷较低，可减少开关损耗和电磁辐射（emi）问题，非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用，这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。 zxmn2f34ma 系列采用 dfn322 封装，其中 zxmn2f34fhta、zxmn2f30fhta和 zxmn3f30fhta 三款采用 sot23 封装的 n 沟道mosfet；zxmn3f31dn8 和 zxmn3g32dn8 两款则是采用 so8 封装的双 n 沟道器件。

zxmn2f30fhta替代型号

ZXMN2B14FH ZXMN2B03E6 ZXMN2B01F ZXMN0545G4 ZXLD1615 ZXLD1601 ZXLD1362ET5TA ZXLD1362 ZXLD1360 ZXLD1356

ZXMN2F34FHTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8 ZXMN3G32DN8 ZXMP2120E5 ZXMP2120G4 ZXMS6002G ZXMS6003G ZXMS6004FF ZXNB4200

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