3000
SOT163/23+
大量库存欢迎来电垂询
12000
SOT26/2025+520
--/专注替代/降本增效-
ZXMN2B03E6TA
3000
SOT163/23+
大量库存欢迎来电垂询
ZXMN2B03E6
23000
-/2024+
原厂原装现货库存支持当天发货
ZXMN2B03E6
572640
SOT26/22+
原装可开发票
ZXMN2B03E6
28900
SOT236/21+
低价出售原装现货可看货假一罚十
ZXMN2B03E6
30000
SOT236/2022+
进口原装现货供应，原装 假一罚十
ZXMN2B03E6
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
ZXMN2B03E6
40000
SOT236/2022+
原厂代理 终端免费提供样品
ZXMN2B03E6
100
SOT236/07+
原装
ZXMN2B03E6
50000
SOT236/23+
原装现货，只做自己优势
ZXMN2B03E6
154836
SOT236/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单
ZXMN2B03E6
8000
SOT26/22+
只做原装
ZXMN2B03E6
5000
SOT26(SC74R)/2017+
原装 部分现货量大期货
ZXMN2B03E6
51000
SOT26/23+/24+
原装现货 可技术服务。jcwsemi完美替代国内外知名品
ZXMN2B03E6TA
769
SOT163/0928+
原装现货，市场价格
ZXMN2B03E6TA
300000
SOT26/23+
一级代理商可提供技术方案支持
ZXMN2B03E6TA
7600
SOT26/22+
原装
ZXMN2B03E6TA
2247
SOT26/2024+
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ZXMN2B03E6
20V SOT23-6 N-channel enhancement mo...
ZETEX [Zetex Semiconductors]
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zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 来源:小草
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（mΩ;）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6（sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻分别低于75毫欧、100毫欧和200毫欧，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的n 沟道增强模式 mosfet。 这三款新产品分别为 20v 的zxmn2b03e6 （sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 mosfet可确保1.8vgs 条件下的导通电阻 (rds(on) ) 分别低于75毫欧（m?）、100毫欧（m?）和200毫欧（m?），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。 详情请访问：www.zetex.com
zetexsemiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。 这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6（sot236封装）、zxmn2b14fh和zxmn2b01f（两者均为sot23封装）。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧（mΩ）、100毫欧（mΩ）和200毫欧（mΩ），使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。 快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。
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